关于电容器用耐高温的材料（≥125ºC，甚至到140ºC～150ºC，膜厚2μm～8μm，场强≥400VDC/μm，膜厚一致性好），主要是满足SiC运用的发展，目前国内也是空白，这些将会制约电子元器件上下游行业的发展影响全球竞争力。

双方协商而定，知识产权按双方协议签订　目前基于进口材料进行研发，解决期限：至2025年，合作双方可协商而定。