光刻胶在光刻工艺中用作抗腐蚀涂层材料，是光刻工艺中最关键的材料，其生产技术复杂、品质要求严格。目前，国内光刻胶市场主要由日本JSR、信越化学、东京应化等公司所垄断，中国大陆与世界领先水平差距较大，导致半导体级高端产品国产化率不足1%，难以满足国内企业的用胶需求。半导体级光刻胶的核心是超高纯光刻胶树脂固体单体，但其含有羟基、羧基等金属离子强螯合基团，存在高价金属（如Fe、Cr等）难以深度脱除至20 ppb以下的难题，导致我国固体单体的研究和产业化还处于空白状态，国内的专利布局缺失，技术被日韩及欧美企业垄断。因此，亟需开展固体单体纯化去除金属杂质技术的研究，打破国外相关大型公司对半导体级光刻胶树脂固体单体生产技术的封锁。

本项目开发了多种脱除痕量金属离子的吸附剂，实现了不同价态金属离子的痕量脱除（所有金属离子含量均＜20 ppb）；提出了“溶解-吸附-结晶-过滤-干燥组合工艺”提纯含有羟基基团固体单体（如三(2-羟乙基)异氰尿酸酯）的新方法，解决了痕量金属离子受制于化学平衡难以吸附-重结晶脱除的难题，突破了光刻胶树脂固体单体提纯的卡脖子难题，为实现高端光刻胶树脂国产化奠定坚实基础。