采用单晶外延技术，实现了晶圆级氧化镓（β-Ga2O3）异质外延生长，为制备高性能β-Ga2O3光电器件和功率器件提供了外延片材料。通过采用Sn作为掺杂元素，实现对（100）β-Ga2O3外延层的掺杂浓度和迁移率的调控，Sn掺杂的浓度（5×1016 cm-3至5×1019 cm-3）窗口可调以及载流子迁移率从0.26 cm2/Vs提升至16.2 cm2/Vs，外延层质量处于国内领先水平。

产业化进展情况：

产业化推广阶段。基于氧化镓外延生长技术已有专利申请，有望实现专利转化。专利名称：采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件及制备方法[P].中国,发明专利, CN116864529A. （已公开）

应用前景：

随着5G通信、人工智能、新能源等领域的快速发展，氧化镓外延技术将为光电探测器、电力电子等器件提供高性能、高可靠性的材料基础。同质外延和异质外延技术的结合将推动光电子器件性能的提升和功能的拓展，满足不同应用场景的需求。因此，氧化镓外延技术将成为光电子产业发展的重要引擎，为构建智能、高效的光电子系统提供强有力支持。