基于氧化镓的高性能平面型肖特基结势垒二极管（SBDs），导通电压<1 V，导通电阻约10 mΩ·cm2，击穿电压高达890 V，泄漏电流约0.1 μA/cm2，处于国际先进水平。此外，我们也掌握β-Ga2O3低损伤刻蚀、高质量介质层沉积等关键技术，研制了5 A/600 V、2 A/1200 V级别的沟槽型氧化镓 SBD，有望实现商业化量产。

应用前景：

相比于碳化硅和氮化镓材料相同耐压情况下，氧化镓导通电阻更低、功耗更小，能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失，而氧化镓SBD可广泛应用于光伏储能、工业和电源等电力电子场景，促进系统高效化和小型化。课题组研制的氧化镓SBD具有高电流密度，高耐压，低泄漏的优点，具有良好的商业化量产及应用前景。

专利名：一种具有 AlN势垒层的氧化镓肖特基二极管及制备方法；中国专利申请号：202311264299.7。