公司砷化镓集成电路工艺精度达到国际一流水平，具条化合物半导体稳定量产能力，良率超过98%，填补国内砷化镓射频芯片产业的制造能力空白。HBT工艺应用于4G/5G手机 & WiFi(802.11 ac/ax)功率放大器；pHEMT工艺应用于基站及卫星通信等高频高功率放大、低噪声及开关等器件，拥有发明专利授权42项。随着5G信息技术的发展，工艺应用市场广泛，有力推动芯片“国产化”进程。