本项目利用碳化硅作为传感器材料，关键环节包括传感器的结构设计、SiC的制备、SiC掺杂以及传感器芯片的封装工艺等。开发出全碳化硅高温压力传感器系列产品，量程包括MPa级、KPa级等多个量程段压力，工作温度范围-40℃-550℃，瞬态温度范围-40℃-1500℃。