技术公关难题：

      （1）碳化硅DMOS沟道电子等效迁移率低带来的大电阻问题解决方案，采用ACCUFET的结构设计的具体方案。特点是用p 隐埋层在栅氧化层下的n-表面产生一极薄的耗尽区，隐埋的深度和n-区杂质浓度的配比及其他问题。（2）碳化硅掺杂工艺的实现，离子注入和材料制备过程中的伴随掺杂实现的具体方案。（3）GaN常关型器件，P型GaN门极的具体解决方案。（4）GaN器件耐压超过450V后产生的电流崩塌效应解决方案（电子停留在内部使得电流下降）。

      备注：并称为第三代半导体材料双雄的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)相对于硅材料有很多优点：有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高一倍的饱和漂移速度。这些优点使得氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)器件高温、高频工作特性好及更加小型化。SiC/GaN  MOSFET是在2010之后开始商用，目前被国外著名半导体商垄断，主要产家有美国科瑞、德国英飞凌、日本罗姆等世界知名半导体公司。目前SIC/GaN功率器件市场约1亿美元左右，而硅基材料的功率器件市场高达100亿美元，未来成长空间巨大。