项目主要研发内容为高端多层柔性电路板关键技术工艺开发，拟解决关键技术问题如下：

1、卷对卷精密蚀薄铜技术：采用新型RTR湿法工艺技术对常规铜箔进行减薄。主要目标为将常规铜箔（36 um）蚀薄为卷对卷所需厚度（≤24 um），均匀性大于95%；

2、多层板卷对卷镭射钻孔：采用国际先进的美国 ESI 镭射钻孔机搭配卷对卷对收放板机实现铜箔卷对卷镭射钻孔，取代传统的 CNC 片式钻孔，可实现多层板内层最小通孔直径钻孔加工能力由 0.15 mm 提升到 50 μm，本项目拟开展通过优化镭射钻孔设备功能及优化镭射工艺参数，拟突破镭射钻孔制程能力，预期实现多层板内层最小通孔孔径 40 μm、最小盲孔孔径 50 μm；

3、卷对卷等离子处理技术：通过调控等离子能量和时间，精准实现等离子对钻孔后残留物的处置。主要开发适合处理镭射钻孔、黑膜和电镀等工艺过程残留的有机物、清洁孔壁和做干膜处理的等离子处理工艺；

4、卷对卷精密镀铜填孔技术：项目拟开展通过选择优良镀铜药水及优化镀铜工艺参数，预期实现最小通孔 40 μm 镀铜，孔铜 ≥8 μm。盲孔镀铜时，采用填孔镀铜工艺，采用专用的填孔镀铜药水，填孔镀铜工艺可以提高电路板层间的导通性能，改善产品的导热性，减少孔内孔洞，降低传输信号的损失，这将有效的提高电子产品的可靠性和稳定性。项目拟开展通过导入优化填孔镀铜线、选择优良镀铜药水及优化镀铜工艺参数，预期实现最小盲孔 50 μm 镀铜，盲孔全填，dimple ≤ 15 μm。实现35/35 um 精细线路的图形转移，实现在基板的双面整体蚀刻均匀，蚀刻均匀性≧90%、线路线宽公差±15 μm制作能力的需求。

5、卷对卷镭射优化技术：分解影响多层板的关键材料为铜箔、绝缘层（高分子胶膜）和铜箔为一个研究单元，开展包括微观形貌、热性能、3D显微和元素分析等材料基础性能研究，优选适合卷对卷生产的关键材料铜箔与胶膜组合，确定了两种主要尺寸盲孔和通孔的激光镭射工艺参数，完成项目既定的目标镭射孔孔壁的突出和内陷控制在 15 μm 以下。